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参数资料
| 型号： | SI6423DQ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP |
| 产品目录绘图： | DQ-T1-E3 Series 8-TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800mV @ 400µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.05W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1665 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI6423DQ-T1-GE3DKR |
Si6423DQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.030
8000
0.024
0.018
V GS = 1.8 V
6400
4800
C iss
0.012
0.006
0.000
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
3200
1600
0
C rss
C oss
0
6
12
18
24
30
0
2
4
6
8
10
12
5
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
4
3
2
1
0
V DS = 6 V
I D = 9.5 A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 4.5 V
I D = 9.5 A
0
15
30
45
60
75
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.06
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
T J = 150 °C
0.05
0.04
I D = 9.5 A
0.03
1
0.02
T J = 25 °C
0.01
0.1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72257
S-80682-Rev. B, 31-Mar-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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