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参数资料
| 型号： | SI6423DQ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP |
| 产品目录绘图： | DQ-T1-E3 Series 8-TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800mV @ 400µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.05W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1665 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI6423DQ-T1-GE3DKR |
Si6423DQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?72257 .
Document Number: 72257
S-80682-Rev. B, 31-Mar-08
www.vishay.com
5
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PDF描述 |
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