- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录512 > SI6423DQ-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI6423DQ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP |
| 产品目录绘图： | DQ-T1-E3 Series 8-TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800mV @ 400µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.05W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1665 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI6423DQ-T1-GE3DKR |
Si6423DQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.6
0.4
I D = 400 μ A
60
50
40
0.2
30
0.0
20
- 0.2
10
- 0.4
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10 -2
10 -1
1
10
100
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
T ime (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited
by R DS (on) *
1 ms
10
10 ms
1
100 ms
1s
10 s
0.1
T C = 25 °C
DC
Single Pulse
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 2
t 2
0.01
0.02
Single Pulse
t 1
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 100 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 72257
S-80682-Rev. B, 31-Mar-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI6466ADQ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP |
| SI6467BDQ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP |
| SI6924AEDQ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOP |
| SI6926ADQ-T1-GE3 | MOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP |
| SI6928DQ-T1-GE3 | MOSFET DL N-CH 30V 4A 8-TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI6426 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| SI6426DQ | 功能描述:MOSFET 20V/8V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6426DQ-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 5.4A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6433BDQ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
| SI6433BDQ_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。