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参数资料
| 型号： | SI6924AEDQ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 28V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI6924AEDQ-T1-GE3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR TSSOP-8
0.092
(2.337)
0.026
(0.660)
0.014
(0.356)
0.012
(0.305)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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Document Number: 72611
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
27
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI6926ADQ-T1-GE3 | MOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP |
| SI6928DQ-T1-GE3 | MOSFET DL N-CH 30V 4A 8-TSSOP |
| SI6933DQ-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI6924EDQ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch, ESD Protection |
| SI6924EDQ-T1 | 功能描述:MOSFET 28V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6925ADQ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
| SI6925ADQ_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
| SI6925ADQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 3.9A 0.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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