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参数资料
| 型号： | SI6924AEDQ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 28V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI6924AEDQ-T1-GE3DKR |
Si6924AEDQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.10
0.08
0.4
0.2
I D = 250 μA
0.06
0.04
0.02
0.00
I D = 4.6 A A
0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
0
1
2
3
4
5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
60
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
100
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Limited
by R DS(on) *
50
10
40
1 ms
30
20
1
10 ms
100 ms
10
0
0.1
0.01
T C = 25 °C
Single Pulse
1s
10 s
DC
0.001
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
Time (s)
Single Pulse Power
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.01
0.02
Single Pulse
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 96 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Document Number: 72215
S-81056-Rev. B, 12-May-08
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI6926ADQ-T1-GE3 | MOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI6924EDQ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch, ESD Protection |
| SI6924EDQ-T1 | 功能描述:MOSFET 28V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6925ADQ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
| SI6925ADQ_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
| SI6925ADQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 3.9A 0.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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