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参数资料
| 型号： | SI7403BDN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 74 毫欧 @ 5.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 430pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 9.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7403BDN-T1-GE3DKR |
Si7403BDN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
V GS = 5 thru 3 V
10
T C = - 55 °C
16
12
8
2.5 V
2V
8
6
4
125 °C
4
1.5 V
2
25 °C
1V
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.18
0.16
0.14
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
800
700
600
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.12
500
C iss
0.10
0.08
0.06
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
400
300
200
0.04
0.02
100
0
C rss
C oss
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
7
I D = 5.1 A
I D = 5.1 A
V GS = 2.5 V
1.4
6
5
V DS = 10 V
1.2
V GS = 4.5 V
4
3
V DS = 14 V
1.0
2
0.8
1
0
0.6
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 73333
S-83051-Rev. B, 29-Dec-08
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