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参数资料
| 型号： | SI7403BDN-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V 1212-8 PPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 74 毫欧 @ 5.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 430pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 9.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7403BDN-T1-GE3DKR |
Si7403BDN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
t 1
t 2
0.1
0.01
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 2
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 65 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10- 4
10- 3
10- 2
10- 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10- 4
10- 3
10- 2
10 -1
1
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?73333 .
Document Number: 73333
S-83051-Rev. B, 29-Dec-08
www.vishay.com
7
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI7404DN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 13.3A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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