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参数资料
| 型号： | SI7457DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 100V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 7.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5230pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7457DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
0.08
T J = 150 °C
0.07
T A = 125 °C
10
0.06
T J = 25 °C
0.05
0.04
0.03
T A = 25 °C
1
0.02
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
4
5
6
7
8
9
10
3.3
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
35
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
30
3.0
2.7
I D = 250 μA
25
20
15
2.4
10
2.1
5
1.8
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by
10 R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μs
1 ms
10 ms
1
100 ms
1s
0.1
10 s
DC
0.01
0.001
T A = 25 °C
Single Pulse
0.1
1
10
100
1000
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73431
S09-0273-Rev. C, 16-Feb-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7460DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC |
| SI7461DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC |
| SI7462DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC |
| SI7465DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC |
| SI7530DP-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7458DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET |
| SI7459DP-T1 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:P-Ch PowerPAK SO-8 30V 6.8mohm@10V |
| SI7459DPT1E3 | 制造商:VISHAY 功能描述:Pb Free |
| SI7459DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 22A 5.4W 6.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7459DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 22A 5.4W 6.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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