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参数资料
| 型号： | SI7460DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC |
| 产品目录绘图： | DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.6 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI7460DP-T1-GE3DKR |
Si7460DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.020
0.016
25 °C, unless otherwise noted
5000
4000
C iss
0.012
0.008
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
3000
2000
0.004
0.000
1000
0
C rss
C oss
0
8
16
24
32
40
0
10
20
30
40
50
60
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 30 V
I D = 18 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 18 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0.8
0.6
0
20
40
60
80
- 50
- 25
0
2 5
5 0
7 5
100
125
150
40
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.020
0.016
0.012
T J - Junction Temperature ( °C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 18 A
0.008
T J = 25 °C
0.004
1
0.000
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72126
S09-0227-Rev. D, 09-Feb-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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| SI7461DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 14.4A 5.4W 14.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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