参数资料
型号: SI7460DP-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
产品目录绘图: DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9.6 毫欧 @ 18A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V
功率 - 最大: 1.9W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8
包装: 标准包装
产品目录页面: 1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: SI7460DP-T1-GE3DKR
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PowerPAK ? SO-8 Single
0.260
(6.61)
0.150
(3.81)
0.024
(0.61)
0.026
(0.66)
0.050
(1.27)
0.032
(0.82)
0.040
(1.02)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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Document Number: 72599
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
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PDF描述
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SI7461DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 60V 14.4A 5.4W 14.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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