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参数资料
| 型号： | SI7846DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 150V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7846DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.10
0.08
0.06
V GS = 10 V
3000
2500
2000
1500
C iss
0.04
1000
0.02
0.00
500
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
0
30
60
90
120
150
20
16
12
8
4
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 75 V
I D = 5 A
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 5 A
0
15
30
45
60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
50
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.15
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.12
I D = 5 A
T J = 150 °C
10
1
T J = 25 °C
0.09
0.06
0.03
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71442
S09-0537-Rev. F, 06-Apr-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SI7848BDP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 47A 36W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7848BDP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 47A 36W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7848BDP-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 40V 47A SOIC |
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