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参数资料
| 型号： | SI7846DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 150V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7846DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1.0
100
0.5
I D = 250 μA
10
0.0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
1
0.1
125 °C
25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
80
60
40
20
0
t in (s)
Avalanche Current vs. Time
0.001
0.01
0.1
1
10
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
t 2
t 2
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 1
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 52 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 71442
S09-0537-Rev. F, 06-Apr-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7848BDP-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC |
| SI7868ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC |
| SI7872DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| SI7898DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 3A PPAK 8SOIC |
| SI7904BDN-T1-GE3 | MOSFET N-CH DL 20V PPAK 1212-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7848BDP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SI7848BDP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 47A 36W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7848BDP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 47A 36W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7848BDP-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 40V 47A SOIC |
| SI7848DP | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8 |
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