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参数资料
| 型号： | SI7905DN-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 12/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL P-CH D-S 40V 1212-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 880pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 20.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 Dual |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PowerPAK ? 1212-8 Dual
0.152
0.152
(3.860)
(3. 8 60)
0.039
0.06 0.068
0.016
0.016
(0.405)
(0.405)
0.039
(0.990)
(0.990)
0.039
(0.990)
8
(1.725)
(1.725)
0.010
(0.225)
0.010
(0.255)
0.094
(2.390)
0.039
0.026
(0.660)
0.026
(0.660)
0.025
(0.635)
0.025
(0.635)
(0.990)
0.030
(0.760)
0.030
(0.760)
Recommended Minim u m PADs for Po w erPAK 1212- 8 D u al
Dimensions in Inches/(mm)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
1
Document Number: 72598
Revision: 14-Apr-08
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SI7905DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 6.0A 20.8W 60mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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