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参数资料
| 型号： | SI7964DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 9.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 Dual |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7964DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.030
4000
0.025
3200
C iss
V GS = 10 V
0.020
2400
0.015
1600
0.010
0.005
0.000
800
0
C oss
C rss
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
10
20
30
40
50
6
I D
-
Drain Current (A)
V DS
-
Drain-to-Source Voltage (V)
10
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
Capacitance
V DS = 30 V
I D = 9.6 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 9.6 A
8
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0.8
0.6
0
10
20
30
40
50
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g
-
Total Gate Charge (nC)
T J - Junction Temperature ( °C)
40
Gate Charge
0.05
0.04
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.03
I D = 9.6 A
0.02
0.01
1
0.00
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
V SD
-
Source-to-Drain Voltage (V)
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 73101
S09-0272-Rev. C, 16-Feb-09
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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| SI7973DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 12.8A 3.5W 15mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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