- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录514 > SI7964DP-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI7964DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 9.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 Dual |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7964DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.8
0.4
100
80
I D = 250 μA
0.0
60
- 0.4
40
- 0.8
- 1.2
- 1.6
20
0
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited by R DS(on) *
I DM Limited
Time (s)
Single Pulse Power
P(t) = 0.0001
P(t) = 0.001
1
0.1
0.01
I D(on)
Limited
T A = 25 °C
Single Pulse
BV DSS Limited
P(t) = 0.01
P(t) = 0.1
P(t) = 1
P(t) = 10
dc
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 2
0.02
Single Pulse
t 1
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 60 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
0.01
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73101
S09-0272-Rev. C, 16-Feb-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI7994DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 8-SOIC |
| SI7997DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC |
| SI7998DP-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK 8SOIC |
| SI8405DB-T1-E3 | MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP |
| SI8417DB-T2-E1 | MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7970DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SI7970DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 10.2A 3.5W 19mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7971DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI7973DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 12.8A 1.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7973DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 12.8A 3.5W 15mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。