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参数资料
| 型号： | SI7997DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6200pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 46W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 Dual |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7997DP-T1-GE3DKR |
New Product
Si7997DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
80
60
40
20
V GS = 10 V thru 4 V
V GS = 3 V
20
16
12
8
4
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
0
T C = - 55 °C
0
1
2
3
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.010
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
8000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.008
6000
V GS = 4.5 V
0.006
V GS = 10 V
4000
0.004
2000
0.002
0
0
C oss
C rss
0
20
40
60
80
100
0
5
10
15
20
25
30
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.5
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 20 A
1.4
I D = 20 A
V GS = 10 V
8
V DS = 7.5 V
1.3
6
4
V DS = 15 V
1.2
1.1
1.0
V GS = 4.5 V
V DS = 24 V
0.9
2
0.8
0
0.7
0
20
40
60
80
100
120
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 66719
S10-1826-Rev. A, 09-Aug-10
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7998DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI7998DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 25/30A 93/53mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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