| 型号: | SI8439DB-T1-E1 |
| 厂商: | Vishay Siliconix |
| 文件页数: | 1/11页 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | MOSFET P-CH 8V D-S MICROFOOT |
| 标准包装: | 1 |
| 系列: | TrenchFET® |
| FET 型: | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 5.9A |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 25 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大): | 800mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 50nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大: | 1.1W |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 4-UFBGA |
| 供应商设备封装: | 4-Microfoot |
| 包装: | 标准包装 |
| 其它名称: | SI8439DB-T1-E1DKR |