参数资料
型号: SI8439DB-T1-E1
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 6/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 8V D-S MICROFOOT
标准包装: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 800mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
功率 - 最大: 1.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 4-UFBGA
供应商设备封装: 4-Microfoot
包装: 标准包装
其它名称: SI8439DB-T1-E1DKR
Si8439DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
t 1
t 2
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 8 5 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 -1
1
1 0
100
6 0 0
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient (1" x 1" FR4 Board with Full Copper)
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
0.1
t 1
t 2
0.1
0.01
0.05
0.02
Single P u lse
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 175 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
100
1 0 0 0
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient (1" x 1" FR4 Board with Minimum Copper)
www.vishay.com
6
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 63839
S13-1703-Rev. B, 29-Jul-13
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PDF描述
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Si8440AA-D-IS1 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 1.0kV Isolatr 1M 4/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube