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参数资料
| 型号： | SI8461DB-T2-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 610pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 780mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | 4-Microfoot |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | SI8461DB-T2-E1CT |
Si8461DB
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 20
R DS(on) ( Ω )
0.100 at V GS = - 4.5 V
0.118 at V GS = - 2.5 V
0.140 at V GS = - 1.8 V
0.205 at V GS = - 1.5 V
I D
(A) a, e
- 3.7
- 3.4
- 3.1
-2
Q g (Typ.)
9.5 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Load Switch
? Battery Switch
? Charger Switch
MICRO FOOT
B u mp Side V ie w
Backside V ie w
S
S
S
2
3
G
D
1
4
G
Device Markin g : 8 461
xxx = Date/Lot Tracea b ility Code
Orderin g Information: Si 8 461DB-T2-E1 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T A = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 20
±8
- 3.7 a
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T A = 25 °C
I D
I DM
I S
- 3 a
- 2.5 b
- 1.9 b
- 20
- 1.5 a
- 0.65 b
1.8 a
A
Maximum Power Dissipation
T A = 70 °C
T A = 25 °C
P D
1.1 a
0.78 b
W
T A = 70 °C
0.5 b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
Package Reflow Conditions c
VPR
IR/Convection
260
260
°C
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board with full copper, t = 10 s.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board with minimum copper, t = 10 s.
c. Refer to IPC/JEDEC (J-STD-020C), no manual or hand soldering.
d. In this document, any reference to case represents the body of the MICRO FOOT device and foot is the bump.
e. Based on T A = 25 °C.
Document Number: 65001
S09-1502-Rev. B, 10-Aug-09
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SI8462AA-A-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 6 Ch 1.0kV Isolator 1M 6/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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