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参数资料
| 型号： | SI8461DB-T2-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 610pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 780mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | 4-Microfoot |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | SI8461DB-T2-E1CT |
Si8461DB
Vishay Siliconix
PACKAGE OUTLINE
MICRO FOOT: 4-BUMP (2 x 2, 0.5 mm PITCH)
4 x ? 0.24 to 0.26 N ote 4
Solder Mask ~ ? 0.25
2
1
3
4
B u mp N ote 2
Recommended Land
4x? b
8 461
S
S
XXX
Mark on Backside of Die
s
D
e
G
D
Notes (Unless otherwise specified):
1. All dimensions are in millimeters.
2. Four (4) solder bumps are lead (Pb)-free 95.5Sn/3.8Ag/0.7Cu with diameter ? 0.30 mm to 0.32 mm.
3. Backside surface is coated with a Ti/Ni/Ag layer.
4. Non-solder mask defined copper landing pad.
5. ? is location of pin 1.
Dim.
A
A 1
A 2
b
Min.
0.462
0.220
0.242
0.300
Millimeters a
Nom.
0.505
0.250
0.255
0.310
Max.
0.548
0.280
0.268
0.320
Min.
0.0181
0.0086
0.0095
0.0118
Inches
Nom.
0.0198
0.0098
0.0100
0.0122
Max.
0.0215
0.0110
0.0105
0.0126
e
0.500
0.0197
s
D
0.230
0.920
0.250
0.960
0.270
1.000
0.0090
0.0362
0.0098
0.0378
0.0106
0.0394
Notes:
a. Use millimeters as the primary measurement.
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?65001 .
www.vishay.com
8
Document Number: 65001
S09-1502-Rev. B, 10-Aug-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI8465DB-T2-E1 | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| SI8800EDB-T2-E1 | MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT |
| SI9407BDY-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC |
| SI9433BDY-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC |
| SI9933CDY-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8462AAAIS1 | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
| SI8462AA-A-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 6 Ch 1.0kV Isolator 1M 6/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8462AA-A-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 6 Ch 1.0kV Isolator 1M 6/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8462AA-B-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 6 Ch 1.0kV Isolator 1M 6/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8462AA-B-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 6 Ch 1.0kV Isolator 1M 6/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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