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参数资料
| 型号： | SI8461DB-T2-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 610pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 780mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | 4-Microfoot |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | SI8461DB-T2-E1CT |
Si8461DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
16
V GS = 5 V thru 2.5 V
5
4
12
V GS = 2 V
3
8
2
T C = 25 °C
4
0
V GS = 1.5 V
V GS = 1 V
1
0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.25
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
V GS = 1.5 V
0.20
0.15
V GS = 1.8 V
1200
900
0.10
V GS = 2.5 V
600
C iss
0.05
0.00
V GS = 4.5 V
300
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
I D = 1 A
6
1.3
1.2
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 1 A
V GS = 1.8 V, 1.5 V
V DS = 10 V
1.1
4
V DS = 16 V
1.0
V GS = 4.5 V , 2.5 V
2
0.9
0
0. 8
0
4
8
12
16
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 65001
S09-1502-Rev. B, 10-Aug-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI8465DB-T2-E1 | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| SI8800EDB-T2-E1 | MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT |
| SI9407BDY-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC |
| SI9433BDY-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC |
| SI9933CDY-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8462AAAIS1 | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
| SI8462AA-A-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 6 Ch 1.0kV Isolator 1M 6/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8462AA-A-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 6 Ch 1.0kV Isolator 1M 6/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8462AA-B-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 6 Ch 1.0kV Isolator 1M 6/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8462AA-B-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 6 Ch 1.0kV Isolator 1M 6/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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