- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录514 > SI8461DB-T2-E1 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI8461DB-T2-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 610pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 780mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | 4-Microfoot |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | SI8461DB-T2-E1CT |
Si8461DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
T J = 150 °C
0.20
0.16
I D = 1 A
0.12
T J = 125 °C
1
0.1
T J = 25 °C
0.0 8
0.04
0.00
T J = 25 °C
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
0.9
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
25
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0. 8
I D = 250 μ A
20
0.7
15
0.6
10
0.5
0.4
0.3
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μs
1
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
1 ms
10 ms
100 ms, 1 s
10 s, DC
BVDSS Limited
0.01
Document Number: 65001
S09-1502-Rev. B, 10-Aug-09
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI8465DB-T2-E1 | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| SI8800EDB-T2-E1 | MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT |
| SI9407BDY-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC |
| SI9433BDY-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC |
| SI9933CDY-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8462AAAIS1 | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
| SI8462AA-A-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 6 Ch 1.0kV Isolator 1M 6/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8462AA-A-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 6 Ch 1.0kV Isolator 1M 6/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8462AA-B-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 6 Ch 1.0kV Isolator 1M 6/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8462AA-B-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 6 Ch 1.0kV Isolator 1M 6/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。