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参数资料
| 型号： | SI8441DB-T2-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-MICRO FOOT? |
| 供应商设备封装： | 6-Micro Foot? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si8441DB
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
I D (A) e
Q g (Typ.)
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
0.080 at V GS = - 4.5 V
0.102 at V GS = - 2.5 V
- 10.5
- 9.3
APPLICATIONS
? Low Threshold Load Switch for Portable Devices
RoHS
COMPLIANT
- 20
0.128 at V GS = - 1.8 V
0.198 at V GS = - 1.5 V
- 3.5
- 2.5
7.7 nC
- Low Power Consumption
- Increased Battery Life
0.600 at V GS = - 1.2 V
MICRO FOOT
- 0.5
B u mp Side V ie w
Backside V ie w
S
G
S
D
2
3
4
S
D
1
6
5
G
S
Device Markin g : 8 441
xxx = Date/Lot Tracea b ility Code
Orderin g Information: Si 8 441DB-T2-E1 (Lead (P b )-free)
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 20
±5
- 10.5
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
I D
I DM
I S
- 8.4
- 4.8 a, b
- 3.9 a, b
- 15
- 10.8
- 2.3 a, b
13
A
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
8.4
2.77 a, b
W
T A = 70 °C
1.77 a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
Package Reflow Conditions c
IR/Convection
T J , T stg
- 55 to 150
260
°C
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. t = 10 s.
c. Refer to IPC/JEDEC (J-STD-020C), no manual or hand soldering.
d. In this document, any reference to case represents the body of the MICRO FOOT device and foot is the bump.
e. Based on T C = 25 °C.
Document Number: 74668
S-82119-Rev. C, 08-Sep-08
www.vishay.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8442 | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:QUAD-CHANNEL DIGITAL ISOLATOR |
| SI8442AA-C-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 1.0kV Isolatr 1M 2/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8442AA-C-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 1.0kV Isolatr 1M 2/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8442AA-D-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 1.0kV Isolatr 1M 2/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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