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参数资料
| 型号： | SI8441DB-T2-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-MICRO FOOT? |
| 供应商设备封装： | 6-Micro Foot? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si8441DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
15
5
12
9
V GS = 4.5 thr u 2.5 V
V GS = 2 V
4
3
6
3
V GS = 1.5 V
2
1
T C = 125 °C
T C = 25 °C
0
V GS = 1 V
0
T C = - 55 °C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.40
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.35
8 00
0.30 V GS = 1.5 V
0.25
V GS = 1.8 V
600
C iss
0.20
0.15
V GS = 2.5 V
400
0.10
0.05
0.00
V GS = 4.5 V
200
0
C rss
C oss
0
3
6
9
12
15
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
5
I D = 1 A
4
1.6
1.4
I D = 1 A
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 4.5 V , 2.5 V , 1. 8 V
3
V DS = 10 V
1.2
2
1
0
V DS = 16 V
1.0
0. 8
0.6
V GS = 1.5 V
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 74668
S-82119-Rev. C, 08-Sep-08
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| Si8442AA-C-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 1.0kV Isolatr 1M 2/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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