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参数资料
| 型号： | SI8441DB-T2-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-MICRO FOOT? |
| 供应商设备封装： | 6-Micro Foot? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si8441DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
0.25
0.20
0.15
I D = 1 A
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.10
0.05
125 °C
25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
0.7
0.6
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
30
25
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
20
0.5
15
0.4
10
0.3
0.2
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
P u lse (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited b y R DS(on) *
10
100 μs
1
0.1
0.01
T C = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
1 ms
10 ms
100 ms
1 s, 10 s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 74668
S-82119-Rev. C, 08-Sep-08
www.vishay.com
5
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SI8442 | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:QUAD-CHANNEL DIGITAL ISOLATOR |
| SI8442AA-C-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 1.0kV Isolatr 1M 2/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8442AA-C-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 1.0kV Isolatr 1M 2/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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