参数资料
型号: SI8447DB-T2-E1
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 1/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT
标准包装: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 75 毫欧 @ 1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 600pF @ 10V
功率 - 最大: 13W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-MICRO FOOT?
供应商设备封装: 6-Micro Foot?
包装: 标准包装
其它名称: SI8447DB-T2-E1DKR

Si8447DB
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 20
R DS(on) ( Ω )
0.075 at V GS = - 4.5 V
0.105 at V GS = - 2.5 V
0.260 at V GS = - 1.7 V
I D (A) e
- 11
- 9.5
- 6.0
Q g (Typ.)
7.5 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Load Switch
? Battery Switch
? Charger Switch
MICRO FOOT
S
B u mp Side V ie w
Backside V ie w
S
S
2
3
G
S
1
6
G
D
D
4
D
5
P-Channel MOSFET
Device Markin g : 8 447
xxx = Date/Lot Tracea b ility Code
Orderin g Information: Si 8 447DB-T2-E1 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 20
± 12
- 11
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
I D
I DM
I S
- 8.9
- 5.1 a, b
- 4.1 a, b
- 15
- 10.8
- 2.3 a, b
13
A
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
8.4
2.77 a, b
W
T A = 70 °C
1.77 a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
Package Reflow Conditions c
VPR
IR/Convection
260
260
°C
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. t = 10 s.
c. Refer to IPC/JEDEC (J-STD-020C), no manual or hand soldering.
d. In this document, any reference to case represents the body of the MICRO FOOT device and foot is the bump.
e. Based on T C = 25 °C.
Document Number: 64802
S-09-0664-Rev. A, 20-Apr-09
www.vishay.com
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