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参数资料
| 型号： | SI8447DB-T2-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-MICRO FOOT? |
| 供应商设备封装： | 6-Micro Foot? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI8447DB-T2-E1DKR |
Si8447DB
Vishay Siliconix
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a, b
Maximum Junction-to-Case (Drain)
Steady State
R thJA
R thJC
37
7
45
9.5
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.
c. Case is defined as top surface of the package.
SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V DS Temperature Coefficient
V GS(th) Temperature Coefficient
V DS
Δ V DS /T J
Δ V GS(th) /T J
V GS = 0 V, I D = - 250 μA
I D = - 250 μA
- 20
- 20
2.5
V
mV/°C
Gate-Source Threshold Voltage
V GS(th)
V DS = V GS , I D = - 250 μA
- 0.4
- 1.2
V
Gate-Source Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current a
I GSS
I DSS
I D(on)
V DS = 0 V, V GS = ± 12 V
V DS = - 20 V, V GS = 0 V
V DS = - 20 V, V GS = 0 V, T J = 70 °C
V DS ≤ - 5 V, V GS = - 4.5 V
V GS = - 4.5 V, I D = - 1 A
-5
0.060
± 100
-1
- 10
0.075
nA
μA
A
Drain-Source On-State Resistance a
R DS(on)
V GS = - 2.5 V, I D = - 1 A
0.085
0.105
Ω
V GS = - 1.7 V, I D = - 0.5 A
0.170
0.260
Forward Transconductance a
g fs
V DS = - 10 V, I D = - 1 A
7
S
Dynamic b
Input Capacitance
C iss
600
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C oss
C rss
V DS = - 10 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
160
105
pF
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Q g
Q gs
V DS = - 10 V, V GS = - 10 V, I D = - 1 A
V DS = - 10 V, V GS = - 4.5 V, I D = 1 A
15
7.5
1.2
25
12
nC
Gate-Drain Charge
Q gd
2.2
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
R g
t d(on)
t r
t d(off)
V GS = - 0.1 V, f = 1 MHz
V DD = - 10 V, R L = 10 Ω
I D ? - 1 A, V GEN = - 4.5 V, R g = 1 Ω
12
25
25
35
40
40
55
Ω
Fall Time
Turn-On Delay Time
t f
t d(on)
12
7
20
15
ns
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V DD = - 10 V, R L = 10 Ω
I D ? - 1 A, V GEN = - 8 V, R g = 1 Ω
10
30
15
15
45
25
www.vishay.com
2
Document Number: 64802
S-09-0664-Rev. A, 20-Apr-09
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