- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录514 > SI8447DB-T2-E1 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI8447DB-T2-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-MICRO FOOT? |
| 供应商设备封装： | 6-Micro Foot? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI8447DB-T2-E1DKR |
Si8447DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
t 1
0.1 0.1
0.01
0.02
Single Pulse
0.05
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 65 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
100
1 0 0 0
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
0.1
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Document Number: 64802
S-09-0664-Rev. A, 20-Apr-09
www.vishay.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI8461DB-T2-E1 | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| SI8465DB-T2-E1 | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| SI8800EDB-T2-E1 | MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT |
| SI9407BDY-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC |
| SI9433BDY-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI84-4R7L | 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor |
| SI8450AA-A-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 5 Ch 1.0kV Isolator 1M 5/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8450AA-A-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 5 Ch 1.0kV Isolator 1M 5/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8450AA-B-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 5 Ch 1.0kV Isolator 1M 5/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8450AA-B-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 5 Ch 1.0kV Isolator 1M 5/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。