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参数资料
| 型号： | SI8447DB-T2-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-MICRO FOOT? |
| 供应商设备封装： | 6-Micro Foot? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI8447DB-T2-E1DKR |
Si8447DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.25
I D = 1 A
0.20
10
0.15
T J = 125 °C
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.10
T J = 25 °C
0.05
0.1
0.00
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
1.0
0.9
0. 8
0.7
0.6
0.5
0.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
30
25
20
15
10
5
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited b y R (DS)on *
P u lse (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 ms
1
1 ms
10 ms
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
100 s
10 s, 1 s
DC
B V DSS Limited
0.01
Document Number: 64802
S-09-0664-Rev. A, 20-Apr-09
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI8461DB-T2-E1 | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
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| SI8800EDB-T2-E1 | MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT |
| SI9407BDY-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC |
| SI9433BDY-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI84-4R7L | 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor |
| SI8450AA-A-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 5 Ch 1.0kV Isolator 1M 5/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8450AA-A-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 5 Ch 1.0kV Isolator 1M 5/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8450AA-B-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 5 Ch 1.0kV Isolator 1M 5/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8450AA-B-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 5 Ch 1.0kV Isolator 1M 5/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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