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参数资料
| 型号： | SI8439DB-T1-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V D-S MICROFOOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-UFBGA |
| 供应商设备封装： | 4-Microfoot |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI8439DB-T1-E1DKR |
Si8439DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
8
1.5
1.2
6
0.9
4
0.6
2
0.3
0
0.0
0
25
50 75 100 125
T A - Ambient Temperature ( ° C)
150
25
50
75 100 125
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
150
Current Derating*
Power Derating
Notes:
When mounted on 1" x 1" FR4 with full copper.
* The power dissipation P D is based on T J(max.) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 63839
S13-1703-Rev. B, 29-Jul-13
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
5
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI8441DB-T2-E1 | MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP |
| SI8447DB-T2-E1 | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| SI8461DB-T2-E1 | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| SI8465DB-T2-E1 | MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT |
| SI8800EDB-T2-E1 | MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI843X | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:High-speed operation DC to 150 Mbps No start-up initialization required |
| SI8440 | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:QUAD-CHANNEL DIGITAL ISOLATOR |
| SI8440AA-C-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 1.0kV Isolatr 1M 4/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8440AA-C-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 1.0kV Isolatr 1M 4/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8440AA-D-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 1.0kV Isolatr 1M 4/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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