- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录356 > SI8423BD-B-IS (Silicon Laboratories Inc)ISOLATOR 2CH 5KV 150M 16SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI8423BD-B-IS |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 11/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ISOLATOR 2CH 5KV 150M 16SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 46 |
| 系列： | ISOpro |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 2/0 |
| 通道数： | 2 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 数据速率： | 150Mbps |
| 传输延迟： | 8ns |
| 输出类型： | 逻辑 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 产品目录页面： | 628 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 336-1940-5 SI8423BD-B-IS-ND |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页当前第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页
Si8410/20/21 (5 kV)
Si8422/23 (2.5 & 5 kV)
Table 2. Electrical Characteristics (Continued)
(V DD1 = 3.3 V ±10%, V DD2 = 3.3 V ±10%, T A = –40 to 125 °C)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
All Models
Output Rise Time
Output Fall Time
Peak Eye Diagram Jitter
Common Mode Transient
Immunity
Start-up Time 3
t r
t f
t JIT(PK)
CMTI
t SU
C L = 15 pF
C L = 15 pF
See Figure 6
V I = V DD or 0 V
—
—
—
20
—
2.0
2.0
350
45
15
4.0
4.0
—
—
40
ns
ns
ps
kV/μs
μs
Notes:
1. The nominal output impedance of an isolator driver channel is approximately 50 ? , ±40%, which is a combination of the
value of the on-chip series termination resistor and channel resistance of the output driver FET. When driving loads
where transmission line effects will be a factor, output pins should be appropriately terminated with controlled
impedance PCB traces.
2. t PSK(P-P) is the magnitude of the difference in propagation delay times measured between different units operating at
the same supply voltages, load, and ambient temperature.
3. Start-up time is the time period from the application of power to valid data at the output.
Rev. 1.3
11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI8435BB-C-IS1 | IC ISOLATOR DGTL 3CH 16SOIC |
| SI8442BB-C-IS1 | IC ISOLATOR DGTL 4CH 16SOIC |
| SI8451BB-A-IS1 | IC ISOLATOR DGTL 5CH 16SOIC |
| SI8460BB-A-IS1 | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
| SI8606AC-B-IS1 | IC ISOLATOR BIDIR 3.75KV 16SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8423BD-B-ISR | 功能描述:隔离器接口集成电路 Dual Ch 5kV Isolator 150M RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8424CDB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| SI8424CDB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 8V 10A 2.7W 20mOhms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8424DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET |
| SI8424DB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 8.0V 12.2A 6.25W 31mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。