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参数资料
| 型号： | SI8423BD-B-IS |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 16/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ISOLATOR 2CH 5KV 150M 16SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 46 |
| 系列： | ISOpro |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 2/0 |
| 通道数： | 2 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 数据速率： | 150Mbps |
| 传输延迟： | 8ns |
| 输出类型： | 逻辑 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 产品目录页面： | 628 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 336-1940-5 SI8423BD-B-IS-ND |
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Si8410/20/21 (5 kV)
Si8 422/23 ( 2. 5 & 5 k V)
Table 5. Recommended Operating Conditions
Parameter
Ambient Operating Temperature*
Supply Voltage
Symbol
T A
V DD1
V DD2
Min
–40
2.70
2.70
Typ
25
—
—
Max
125
5.5
5.5
Unit
C°
V
V
*Note: The maximum ambient temperature is dependent upon data frequency, output loading, the number of operating
channels, and supply voltage.
Table 6. Regulatory Information*
CSA
The Si84xx is certified under CSA Component Acceptance Notice 5A. For more details, see File 232873.
61010-1: Up to 600 V RMS reinforced insulation working voltage; up to 600 V RMS basic insulation working voltage.
60950-1: Up to 600 V RMS reinforced insulation working voltage; up to 1000 V RMS basic insulation working volt-
age.
60601-1: Up to 125 V RMS reinforced insulation working voltage; up to 380 V RMS basic insulation working voltage.
VDE
The Si84xx is certified according to IEC 60747-5-5. For more details, see File 5006301-4880-0001.
60747-5-5: Up to 891 V peak for basic insulation working voltage.
60950-1: Up to 600 V RMS reinforced insulation working voltage; up to 1000 V RMS basic insulation working volt-
age.
UL
The Si84xx is certified under UL1577 component recognition program. For more details, see File E257455.
Rated up to 5000 V RMS isolation voltage for basic insulation.
*Note: Regulatory Certifications apply to 2.5 kV RMS rated devices which are production tested to 3.0 kV RMS for 1 sec.
Regulatory Certifications apply to 5.0 kV RMS rated devices which are production tested to 6.0 kV RMS for 1 sec.
For more information, see "6. Ordering Guide" on page 29.
16
Rev. 1.3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8423BD-B-ISR | 功能描述:隔离器接口集成电路 Dual Ch 5kV Isolator 150M RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8424CDB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| SI8424CDB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 8V 10A 2.7W 20mOhms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8424DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET |
| SI8424DB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 8.0V 12.2A 6.25W 31mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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