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参数资料
| 型号： | SI8423BD-B-IS |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 31/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ISOLATOR 2CH 5KV 150M 16SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 46 |
| 系列： | ISOpro |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 2/0 |
| 通道数： | 2 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 数据速率： | 150Mbps |
| 传输延迟： | 8ns |
| 输出类型： | 逻辑 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 产品目录页面： | 628 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 336-1940-5 SI8423BD-B-IS-ND |
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Si8410/20/21 (5 kV)
Si8422/23 (2.5 & 5 kV)
8. Land Pattern: 16-Pin Wide-Body SOIC
Figure 18 illustrates the recommended land pattern details for the Si84xx in a 16-pin wide-body SOIC. Table 15
lists the values for the dimensions shown in the illustration.
Figure 18. 16-Pin SOIC Land Pattern
Table 15. 16-Pin Wide Body SOIC Land Pattern Dimensions
Dimension
C1
E
X1
Y1
Feature
Pad Column Spacing
Pad Row Pitch
Pad Width
Pad Length
(mm)
9.40
1.27
0.60
1.90
Notes:
1. This Land Pattern Design is based on IPC-7351 pattern SOIC127P1032X265-16AN
for Density Level B (Median Land Protrusion).
2. All feature sizes shown are at Maximum Material Condition (MMC) and a card
fabrication tolerance of 0.05 mm is assumed.
Rev. 1.3
31
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| SI8442BB-C-IS1 | IC ISOLATOR DGTL 4CH 16SOIC |
| SI8451BB-A-IS1 | IC ISOLATOR DGTL 5CH 16SOIC |
| SI8460BB-A-IS1 | IC ISOLATOR DGTL 6CH 16SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8423BD-B-ISR | 功能描述:隔离器接口集成电路 Dual Ch 5kV Isolator 150M RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8424CDB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| SI8424CDB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 8V 10A 2.7W 20mOhms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8424DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET |
| SI8424DB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 8.0V 12.2A 6.25W 31mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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