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参数资料
| 型号： | SI8423BD-B-IS |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 20/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ISOLATOR 2CH 5KV 150M 16SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 46 |
| 系列： | ISOpro |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 2/0 |
| 通道数： | 2 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 数据速率： | 150Mbps |
| 传输延迟： | 8ns |
| 输出类型： | 逻辑 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 产品目录页面： | 628 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 336-1940-5 SI8423BD-B-IS-ND |
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Si8410/20/21 (5 kV)
Si8 422/23 ( 2. 5 & 5 k V)
2. Functional Description
2.1. Theory of Operation
The operation of an Si84xx channel is analogous to that of an opto coupler, except an RF carrier is modulated
instead of light. This simple architecture provides a robust isolated data path and requires no special
considerations or initialization at start-up. A simplified block diagram for a single Si84xx channel is shown in
Figure 4.
Transmitter
RF
OSCILLATOR
Semiconductor-
Receiver
A
MODULATOR
Based Isolation
Barrier
DEMODULATOR
B
Figure 4. Simplified Channel Diagram
A channel consists of an RF Transmitter and RF Receiver separated by a semiconductor-based isolation barrier.
Referring to the Transmitter, input A modulates the carrier provided by an RF oscillator using on/off keying. The
Receiver contains a demodulator that decodes the input state according to its RF energy content and applies the
result to output B via the output driver. This RF on/off keying scheme is superior to pulse code schemes as it
provides best-in-class noise immunity, low power consumption, and better immunity to magnetic fields. See
Figure 5 for more details.
Input Signal
Modulation Signal
Output Signal
Figure 5. Modulation Scheme
20
Rev. 1.3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8423BD-B-ISR | 功能描述:隔离器接口集成电路 Dual Ch 5kV Isolator 150M RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8424CDB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| SI8424CDB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 8V 10A 2.7W 20mOhms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8424DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET |
| SI8424DB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 8.0V 12.2A 6.25W 31mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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