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参数资料
| 型号： | SI8423BD-B-IS |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 18/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ISOLATOR 2CH 5KV 150M 16SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 46 |
| 系列： | ISOpro |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 2/0 |
| 通道数： | 2 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 数据速率： | 150Mbps |
| 传输延迟： | 8ns |
| 输出类型： | 逻辑 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 产品目录页面： | 628 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 336-1940-5 SI8423BD-B-IS-ND |
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Si8410/20/21 (5 kV)
Si8 422/23 ( 2. 5 & 5 k V)
Table 9. IEC 60747-5-5 Insulation Characteristics for Si84xxxx*
Characteristic
Parameter
Maximum Working Insulation
Voltage
Symbol
V IORM
Test Condition
WB
SOIC-16
891
NB SOIC-8
560
Unit
Vpeak
Method b1
Input to Output Test Voltage
(V IORM x 1.875 = V PR , 100%
Production Test, t m = 1 sec,
1671
1050
Partial Discharge < 5 pC)
Transient Overvoltage
V IOTM
t = 60 sec
6000
4000
Vpeak
Pollution Degree
(DIN VDE 0110, Table 1)
2
2
Insulation Resistance at T S ,
V IO = 500 V
R S
>10 9
>10 9
?
*Note: Maintenance of the safety data is ensured by protective circuits. The Si84xx provides a climate classification of
40/125/21.
Table 10. IEC Safety Limiting Values 1
Max
Parameter
Symbol
Test Condition
WB SOIC- NB SOIC-
Unit
16
8
Case Temperature
T S
150
150
°C
Safety Input, Output, or
Supply Current
I S
? JA = 140 °C/W (NB SOIC-8), 100 °C
(WB SOIC-16),
220
160
mA
V I = 5.5 V, T J = 150 °C, T A = 25 °C
Device Power Dissipation 2
P D
150
150
mW
Notes:
1. Maximum value allowed in the event of a failure; also see the thermal derating curve in Figures 2 and 3.
2. The Si84xx is tested with VDD1 = VDD2 = 5.5 V, T J = 150 oC, C L = 15 pF, input a 150 Mbps 50% duty cycle square
wave.
18
Rev. 1.3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8423BD-B-ISR | 功能描述:隔离器接口集成电路 Dual Ch 5kV Isolator 150M RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8424CDB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| SI8424CDB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 8V 10A 2.7W 20mOhms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8424DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET |
| SI8424DB-T1-E1 | 功能描述:MOSFET 8.0V 12.2A 6.25W 31mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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