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参数资料
| 型号： | SI8423BD-B-IS |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 15/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ISOLATOR 2CH 5KV 150M 16SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 46 |
| 系列： | ISOpro |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 2/0 |
| 通道数： | 2 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 数据速率： | 150Mbps |
| 传输延迟： | 8ns |
| 输出类型： | 逻辑 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 产品目录页面： | 628 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 336-1940-5 SI8423BD-B-IS-ND |
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Si8410/20/21 (5 kV)
Si8422/23 (2.5 & 5 kV)
Table 3. Electrical Characteristics 1 (Continued)
(V DD1 = 2.70 V, V DD2 = 2.70 V, T A = –40 to 125 °C)
Parameter
Minimum Pulse Width
Propagation Delay
Pulse Width Distortion
Symbol
t PHL , t PLH
PWD
Test Condition
See Figure 1
See Figure 1
Min
—
4.0
—
Typ
—
8.0
1.5
Max
6.0
11
3.0
Unit
ns
ns
ns
|t PLH - t PHL |
Propagation Delay Skew 3
Channel-Channel Skew
t PSK(P-P)
t PSK
—
—
2.0
0.5
3.0
1.5
ns
ns
All Models
Output Rise Time
Output Fall Time
Peak Eye Diagram Jitter
Common Mode Transient
Immunity
Start-up Time 4
t r
t f
t JIT(PK)
CMTI
t SU
C L = 15 pF
C L = 15 pF
See Figure 6
V I = V DD or 0 V
—
—
—
20
—
2.0
2.0
350
45
15
4.0
4.0
—
—
40
ns
ns
ps
kV/μs
μs
Notes:
1. Specifications in this table are also valid at VDD1 = 2.6 V and VDD2 = 2.6 V when the operating temperature range is
constrained to T A = 0 to 85 °C.
2. The nominal output impedance of an isolator driver channel is approximately 50 ? , ±40%, which is a combination of the
value of the on-chip series termination resistor and channel resistance of the output driver FET. When driving loads
where transmission line effects will be a factor, output pins should be appropriately terminated with controlled
impedance PCB traces.
3. t PSK(P-P) is the magnitude of the difference in propagation delay times measured between different units operating at
the same supply voltages, load, and ambient temperature.
4. Start-up time is the time period from the application of power to valid data at the output.
Table 4. Absolute Maximum Ratings 1
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Storage Temperature
2
T STG
–65
—
150
C°
Operating Temperature
Junction Temperature
Supply Voltage
Input Voltage
Output Voltage
Output Current Drive Channel
Lead Solder Temperature (10 s)
Maximum Isolation Voltage (1 s) NB SOIC-8
Maximum Isolation Voltage (1 s) WB SOIC-16
T A
T J
V DD1 , V DD2
V I
V O
I O
–40
—
–0.5
–0.5
–0.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
125
150
6.0
V DD + 0.5
V DD + 0.5
10
260
4500
6500
C°
°C
V
V
V
mA
C°
V RMS
V RMS
Notes:
1. Permanent device damage may occur if the above absolute maximum ratings are exceeded. Functional operation
should be restricted to conditions as specified in the operational sections of this data sheet.
2. VDE certifies storage temperature from –40 to 150 °C.
Rev. 1.3
15
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