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参数资料
| 型号： | SIB433EDK-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V SC-75-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 58 毫欧 @ 3.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 8V |
| 功率 - 最大： | 13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-75-6L |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-75-6L 单 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIB433EDK-T1-GE3DKR |
SiB433EDK
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
1.5
1.4
1.3
V GS = 4.5 V , 2.5 V ; I D = 3.7 A
100
T J = 150 °C
10
1.2
1.1
1.0
V GS = 1. 8 V ; I D = 1.5 A
1
T J = 25 °C
0.9
0. 8
0.7
0.1
- 50
- 25
0 25 50 75 100
125
150
0.0
0.2
0.4 0.6 0. 8
1.0
1.2
0.1 8
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0. 8
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Soure-Drain Diode Forward Voltage
0.15
I D = 3.7 A; T J = 25 °C
I D = 1.5 A; T J = 125 °C
0.7
I D = 250 μ A
0.12
I D = 3.7 A; T J = 125 °C
0.6
0.09
0.5
0.06
0.03
0.00
I D = 1.5 A; T J = 25 °C
0.4
0.3
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
20
15
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
100
10
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Limited b y R DS(on) *
100 μ s
10
1
1 ms
10 ms
5
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
100 ms
1 s, 10 s
DC
B V DSS Limited
0
0.001
0.01
0.1
1
P u lse (s)
10
100
1000
0.01
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
For technical support, please contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 65652
S12-0979-Rev. B, 30-Apr-12
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIB452DK-T1-GE3 | MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6 |
| SIB457EDK-T1-GE3 | MOSFET P-CH D-S 20V PPAK SC75-6L |
| SIB914DK-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6 |
| SIE800DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| SIE802DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIB437EDKT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| SIB437EDKT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8V 9A 13W 34MOHMS @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SiB441EDK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET -12V .0255Ohm@4.5V 9A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB452DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 190V 1.5A 13W 2.4ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB455EDK | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
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