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参数资料
| 型号： | SIB433EDK-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V SC-75-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 58 毫欧 @ 3.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 8V |
| 功率 - 最大： | 13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-75-6L |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-75-6L 单 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIB433EDK-T1-GE3DKR |
Package Information
Vishay Siliconix
PowerPAK ? SC75-6L
e
b
e
b
PIN1
PIN2
PIN3
PIN1
PIN2
PIN3
D2
D1
D1
D1
PIN6
PIN5
PIN4
PIN6
PIN5
PIN4
K 3
K1
K2
K2
K1
K2
BACK S IDE VIEW OF S INGLE
D
z
SINGLE PAD
BACK S IDE VIEW OF DUAL
A
Note s :
1. All dimen s ion s a re in millimeter s
2. P a ck a ge o u tline excl us ive of mold fl as h a nd met a l bu rr
3 . P a ck a ge o u tline incl us ive of pl a ting
A1
Z
DETAIL Z
DUAL PAD
DIM
MILLIMETERS
INCHES
MILLIMETERS
INCHES
Min
Nom
Max
Min
Nom
Max
Min
Nom
Max
Min
Nom
Max
A
A1
b
C
D
D1
0.675
0
0.18
0.15
1.53
0.57
0.75
-
0.25
0.20
1.60
0.67
0.80
0.05
0.33
0.25
1.70
0.77
0.027
0
0.007
0.006
0.060
0.022
0.030
-
0.010
0.008
0.063
0.026
0.032
0.002
0.013
0.010
0.067
0.030
0.675
0
0.18
0.15
1.53
0.34
0.75
-
0.25
0.20
1.60
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0.05
0.33
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1.70
0.54
0.027
0
0.007
0.006
0.060
0.013
0.030
-
0.010
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0.063
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0.032
0.002
0.013
0.010
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D2
0.10
0.20
0.30
0.004
0.008
0.012
E
E1
1.53
1.00
1.60
1.10
1.70
1.20
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0.067
0.047
1.53
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1.60
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1.70
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0.063
0.024
0.067
0.028
E2
E3
e
K
K1
K2
0.20
0.32
0.25
0.37
0.50 BSC
0.180 TYP
0.275 TYP
0.200 TYP
0.30
0.42
0.008
0.013
0.010
0.015
0.020 BSC
0.007 TYP
0.011 TYP
0.008 TYP
0.012
0.017
0.50 BSC
0.245 TYP
0.320 TYP
0.200 BSC
0.020 BSC
0.010 TYP
0.013 TYP
0.008 TYP
K3
K4
0.255 TYP
0.300 TYP
0.010 TYP
0.012 TYP
L
0.15
0.25
0.35
0.006
0.010
0.014
0.15
0.25
0.35
0.006
0.010
0.014
T
0.03
0.08
0.13
0.001
0.003
0.005
ECN: C-07431 ? Rev. C, 06-Aug-07
DWG: 5935
Document Number: 73000
06-Aug-07
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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| SIB452DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 190V 1.5A 13W 2.4ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB455EDK | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
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