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参数资料
| 型号： | SIB457EDK-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V PPAK SC75-6L |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 8V |
| 功率 - 最大： | 13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-75-6L |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-75-6L 单 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SiB457EDK
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
0. 8
0.6
10 -2
10 -3
10 -4
10 -5
0.4
10 -6
10 -7
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.2
T J = 25 ° C
10 - 8
10 -9
10 -10
0.0
0
3
6
9
12
15
10 -11
0
3
6 9 12
15
25
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Gate Current vs. Gate-Source Voltage
10
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Gate Current vs. Gate-Source Voltage
20
15
V GS = 5 V thr u 2.5 V
V GS = 2 V
8
6
10
5
V GS = 1.5 V
4
2
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
V GS = 1 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.20
V GS = 1.5 V
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1.5
1.4
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.15
0.10
V GS = 1. 8 V
1.3
1.2
1.1
1.0
V GS = 4.5 V , 2.5 V ; I D = 4. 8 A
V GS = 1. 8 V ; I D = 4. 8 A
V GS = 1.5 V ; I D = 1.5 A
0.05
V GS = 2.5 V
0.9
0. 8
V GS = 4.5 V
0.00
0.7
0
5
10 15
20
25
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 64816
S12-0497-Rev. C, 05-Mar-12
For more information please contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIB914DK-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIB488DK | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 12 V (D-S) MOSFET |
| SIB488DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 9A N-CHANNEL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB-516DH-C | 制造商:Russell 功能描述: |
| SIB-6CH | 制造商:Russell 功能描述: |
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