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参数资料
| 型号： | SIB457EDK-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V PPAK SC75-6L |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 8V |
| 功率 - 最大： | 13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-75-6L |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-75-6L 单 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SiB457EDK
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
8
0.15
I D = 6. 8 A
0.12
6
V DS = 5 V
V DS = 10 V
V DS = 16 V
0.09
I D = 1.5 A; T J = 125 °C
4
0.06
I D = 4. 8 A;
T J = 25 °C
I D = 4. 8 A; T J = 125 °C
2
0
0.03
0.00
I D = 1.5 A; T J = 25 °C
0
5
10 15 20
25
0
1
2 3 4
5
100
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
20
15
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
10
10
T J = 25 °C
1
5
0.1
0
0.0
0.3 0.6 0.9
1.2
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0. 8
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Soure-Drain Diode Forward Voltage
100
P u lse (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Limited b y R DS(on) *
0.7
0.6
I D = 250 μ A
10
100 μ s
0.5
1
1 ms
10 ms
0.4
0.3
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
100 ms
1 s, 10 s
DC
B V DSS Limited
0.2
0.01
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
0.1
1 10 100
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
For more information please contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 64816
S12-0497-Rev. C, 05-Mar-12
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIB914DK-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6 |
| SIE800DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| SIE802DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| SIE804DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 150V POLARPAK |
| SIE822DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIB488DK | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 12 V (D-S) MOSFET |
| SIB488DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 9A N-CHANNEL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB-516DH-C | 制造商:Russell 功能描述: |
| SIB-6CH | 制造商:Russell 功能描述: |
| SIB765170 | 制造商:CELDUC 制造商全称:celduc-relais 功能描述:AC Semiconductor Contactor |
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