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参数资料
| 型号： | SIB457EDK-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 20V PPAK SC75-6L |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 8V |
| 功率 - 最大： | 13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-75-6L |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-75-6L 单 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED PAD LAYOUT FOR PowerPAK ? SC75-6L Single
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0.300 (0.012)
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0.620 (0.024)
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0.545 (0.021)
0.670 (0.026)
0.250 (0.01)
2.000 (0.079)
Dimensions in mm/(Inches)
Return to Index
Document Number: 70488
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIB488DK | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 12 V (D-S) MOSFET |
| SIB488DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 9A N-CHANNEL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIB-516DH-C | 制造商:Russell 功能描述: |
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