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参数资料
| 型号： | SIHF6N40D-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1000 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 311pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220 整包 |
| 包装： | 散装 |
SiHF6N40D
100
www.vishay.com
6
Vishay Siliconix
10
T J = 150 °C
5
1
T J = 25 °C
4
3
2
0.1
1
V GS = 0 V
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
25
50
75
100
125
150
V S D , S ource-Drain Voltage (V)
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
100
I DM = Limited
Limited by R D S (on) *
10
100 μ s
T J , Case Temperature (°C)
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
500
475
450
425
1
Operation in thi s Area
Limited by R D S (on)
T C = 25 °C
T J = 150 °C
1 m s
400
375
0.1
S ingle Pul s e
BVD SS Limited
10 m s
350
1
10 100 1000
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
V D S , Drain-to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) i s s pecified
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
0.05
S ingle Pul s e
0.01
T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 10 - Temperature vs. Drain-to-Source Voltage
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Pul s e Time ( s )
Fig. 11 - Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
S12-0687-Rev. A, 02-Apr-12
4
Document Number: 91501
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIHG20N50C-E3 | MOSFET N-CH 500V 20A TO247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SiHF6N65E-GE3 | 功能描述:MOSFET 650V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:7 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.6 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:Bulk |
| SIHF710 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
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