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参数资料
| 型号： | SIHF6N40D-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1000 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 311pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220 整包 |
| 包装： | 散装 |
Package Information
Vishay Siliconix
TO-220 FULLPAK (HIGH VOLTAGE)
E
A
n
?P
A1
d1
d3
D
u
L1
V
L
b
e
b 3
b 2
MILLIMETERS
c
A2
INCHES
DIM.
A
A1
A2
b
b2
b3
c
D
d1
d3
E
e
L
L1
n
?P
u
v
MIN.
4.570
2.570
2.510
0.622
1.229
1.229
0.440
8.650
15.88
12.300
10.360
13.200
3.100
6.050
3.050
2.400
0.400
2.54 BSC
MAX.
4.830
2.830
2.850
0.890
1.400
1.400
0.629
9.800
16.120
12.920
10.630
13.730
3.500
6.150
3.450
2.500
0.500
MIN.
0.180
0.101
0.099
0.024
0.048
0.048
0.017
0.341
0.622
0.484
0.408
0.520
0.122
0.238
0.120
0.094
0.016
0.100 BSC
MAX.
0.190
0.111
0.112
0.035
0.055
0.055
0.025
0.386
0.635
0.509
0.419
0.541
0.138
0.242
0.136
0.098
0.020
ECN: X09-0126-Rev. B, 26-Oct-09
DWG: 5972
Notes
1. To be used only for process drawing.
2. These dimensions apply to all TO-220, FULLPAK leadframe versions 3 leads.
3. All critical dimensions should C meet C pk > 1.33.
4. All dimensions include burrs and plating thickness.
5. No chipping or package damage.
Document Number: 91359
Revision: 26-Oct-09
www.vishay.com
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