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参数资料
| 型号： | SIHP7N60E-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 600V 7A TO-220AB |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 680pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 78W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 散装 |
SiHP7N60E
100
www.vishay.com
8
Vishay Siliconix
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
6
4
1
2
V GS = 0 V
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
25
50
75
100
125
150
V S D , S ource-Drain Voltage (V)
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
T C , Case Temperature (°C)
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
100
10
Operation in thi s Area
Limited by R D S (on)
I DM = Limited
750
725
700
675
1
Limited by R S D (on) *
100 μ s
650
625
1 m s
600
0.1
0.01
T C = 25 °C
T J = 150 °C
S ingle Pul s e
BVD SS Limited
10 m s
575
550
525
1
10
100
1000
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
V D S , Drain-to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) i s s pecified
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
S ingle Pul s e
0.01
T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 10 - Temperature vs. Drain-to-Source Voltage
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Pul s e Time ( s )
Fig. 11 - Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
S12-3086-Rev. B, 24-Dec-12
4
Document Number: 91508
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIHP8N50D | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:D Series Power MOSFET |
| SIHP8N50D-E3 | 功能描述:MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SiHP8N50D-GE3 | 功能描述:MOSFET 500V 8A 850mOhm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHS20N50C-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CHANNEL 500-V - Rail/Tube 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD |
| SIHS36N50D-E3 | 功能描述:MOSFET 500V 130mOhm@10V 36A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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