参数资料
型号: SIHU5N50D-E3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.5 欧姆 @ 2.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 325pF @ 100V
功率 - 最大: 104W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装: TO-251AA
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: SIHU5N50D-E3CT
Package Information
Vishay Siliconix
TO-251AA (HIGH VOLTAGE)
E1
4
Thermal PAD
3
E
4
b 4
A
0.010 0.25 M C A B
A
c2
θ 2
L2 4
θ 1
A
D1
4
B
3
C
Seating
5
plane
(Dat u m A)
L1 L3
C
C
L
B
B
A
3 x b 2
c
A1
V ie w A - A
2xe
3x b
0.010 0.25 M C A B
Base
Lead tip
Plating
5
b 1, b 3
metal
(c)
c1
5
( b , b 2)
Section B - B and C - C
MILLIMETERS
INCHES
MILLIMETERS
INCHES
DIM.
A
A1
b
MIN.
2.18
0.89
0.64
MAX.
2.39
1.14
0.89
MIN.
0.086
0.035
0.025
MAX.
0.094
0.045
0.035
DIM.
D1
E
E1
MIN.
5.21
6.35
4.32
MAX.
-
6.73
-
MIN.
0.205
0.250
0.170
MAX.
-
0.265
-
b1
0.65
0.79
0.026
0.031
e
2.29 BSC
2.29 BSC
b2
b3
b4
c
c1
c2
0.76
0.76
4.95
0.46
0.41
0.46
1.14
1.04
5.46
0.61
0.56
0.86
0.030
0.030
0.195
0.018
0.016
0.018
0.045
0.041
0.215
0.024
0.022
0.034
L
L1
L2
L3
θ 1
θ 2
8.89
1.91
0.89
1.14
0'
25'
9.65
2.29
1.27
1.52
15'
35'
0.350
0.075
0.035
0.045
0'
25'
0.380
0.090
0.050
0.060
15'
35'
D
5.97
6.22
0.235
0.245
ECN: S-82111-Rev. A, 15-Sep-08
DWG: 5968
Notes
1. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M-1994.
2. Dimension are shown in inches and millimeters.
3. Dimension D and E do not include mold flash. Mold flash shall not exceed 0.13 mm (0.005") per side. These dimensions are measured at the
outermost extremes of the plastic body.
4. Thermal pad contour optional with dimensions b4, L2, E1 and D1.
5. Lead dimension uncontrolled in L3.
6. Dimension b1, b3 and c1 apply to base metal only.
7. Outline conforms to JEDEC outline TO-251AA.
Document Number: 91362
Revision: 15-Sep-08
www.vishay.com
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参数描述
SiHU5N50D-GE3 功能描述:MOSFET 500V 5A 1.5Ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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