型号: | SIHVM7.5 |
厂商: | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
英文描述: | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
文件页数: | 11/14页 |
文件大小: | 98K |
代理商: | SIHVM7.5 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SICH20000 | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
SIHVM12.5 | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
SICH12500 | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
SICF12500 | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
SICH5000 | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SiHW22N65E-GE3 | 功能描述:MOSFET 650V 180mOhms@10V 22A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay / Siliconix 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:22 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.18 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247 AD 封装:Bulk |
SIHW23N60E-GE3 | 功能描述:MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay / Siliconix 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:20 V 漏极连续电流:23 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.158 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247AD-3 封装:Bulk |
SIHW30N60E-GE3 | 功能描述:MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
SIHW30N60E-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N CH 600V 29A TO-247AD-3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO-247AD-3 |
SIHW33N60E-GE3 | 功能描述:MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |