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参数资料
型号： SIHVM7.5
厂商： SENSITRON SEMICONDUCTOR
元件分类： 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述： 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
文件页数： 9/14页
文件大小： 98K
代理商： SIHVM7.5
221 West Industry Court 3 Deer Park, NY 11729-4681 3 (631) 586-7600 FAX (631) 249798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
(A) ±0.030 (0.762)
See Table
.50(12.70)
.051±0.003
(1.29±0.0762)
Dia.
2.0
(50.8)
Min.
.250(6.35)
SENSITRON
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 961, REV. -
Mechanical Dimensions in: mm / inches
SICFS2000
SICFS8000
SICFS4000
SICFS10000
SICFS6000
SICFS12000
相关PDF资料
PDF描述
SICH20000 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SIHVM12.5 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SICH12500 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SICF12500 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
SICH5000 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
SiHW22N65E-GE3 功能描述:MOSFET 650V 180mOhms@10V 22A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay / Siliconix 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:22 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.18 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247 AD 封装:Bulk
SIHW23N60E-GE3 功能描述:MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay / Siliconix 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:20 V 漏极连续电流:23 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.158 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247AD-3 封装:Bulk
SIHW30N60E-GE3 功能描述:MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIHW30N60E-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N CH 600V 29A TO-247AD-3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO-247AD-3
SIHW33N60E-GE3 功能描述:MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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