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参数资料
| 型号： | SIHVM7.5 |
| 厂商： | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | SIHVM7.5 |
221 West Industry Court 3 Deer Park, NY 11729-4681 3 (631) 586-7600 FAX (631) 249798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
SENSITRON
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 964, REV. -
Mechanical Dimensions in: mm / inches
SI2HVM2.5F
SI3HVM2.5F
SI2HVM5F
SI3HVM5F
SI2HVM7.5F
SI6HVM2.5F
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SiHW22N65E-GE3 | 功能描述:MOSFET 650V 180mOhms@10V 22A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay / Siliconix 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:22 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.18 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247 AD 封装:Bulk |
| SIHW23N60E-GE3 | 功能描述:MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay / Siliconix 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:20 V 漏极连续电流:23 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.158 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247AD-3 封装:Bulk |
| SIHW30N60E-GE3 | 功能描述:MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHW30N60E-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N CH 600V 29A TO-247AD-3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO-247AD-3 |
| SIHW33N60E-GE3 | 功能描述:MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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