APTGL90DDA120T3G

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTGL90DDA120T3G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTGL90DDA120T3G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原装

APTGL90DDA120T3G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP3
17+
-
全新原装现货

APTGL90DDA120T3G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：江先生
电话：0755-236033608325800283223169
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MODULE - IGBT - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
MOD IGBT 1200V 110A SP3

APTGL90DDA120T3G 技术参数

APTGL90DA120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 385W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGL90A120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 110A 385W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:385W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.25V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGL700U120D4G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 910A 3000W Chassis Mount D4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:910A 功率 - 最大值:3000W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:4mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:37.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:D4 供应商器件封装:D4 标准包装:1 APTGL700SK120D3G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:840A 功率 - 最大值:3000W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:37.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGL700DA120D3G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:840A 功率 - 最大值:3000W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，600A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:37.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGLQ150A120TG APTGLQ150H120G APTGLQ200A120T3AG APTGLQ200H120G APTGLQ200H65G APTGLQ200HR120G APTGLQ25H120T1G APTGLQ25H120T2G APTGLQ300A120G APTGLQ300H65G APTGLQ300SK120G APTGLQ30H65T3G APTGLQ400A120T6G APTGLQ40DDA120CT3G APTGLQ40H120T1G APTGLQ40HR120CT3G APTGLQ50DDA65T3G APTGLQ50H65T1G