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参数资料
| 型号： | SIZ710DT-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A，35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.8 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 820pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 27W，48W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-PowerPair? |
| 供应商设备封装： | 6-PowerPair? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIZ710DT-T1-GE3DKR |
SiZ710DT
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
Notes:
0.1
P DM
0.05
t 1
t 1
0.02
Single Pulse
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 65 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.1
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?65733 .
Document Number: 65733
S11-2379-Rev. B, 28-Nov-11
www.vishay.com
11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIZ720DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR |
| SIZ902DT-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V DUAL D-S |
| SKY12322-86LF-EVB | BOARD EVALUATION FOR SKY12322-86 |
| SKY12323-303LF-EVB | BOARD EVALUATION FOR SKY1232-303 |
| SKY12324-73LF-EVB | BOARD EVALUATION FOR SKY12324-73 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIZ720DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| SIZ728DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ728DT_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 25 V (D-S) MOSFETs |
| SIZ728DT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 25V 16A / 35A N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIZ730DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs |
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